EXSHINE Modello di prodotti: | EX-SIR418DP-T1-GE3 |
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fabbricante Modello di prodotti: | SIR418DP-T1-GE3 |
fabbricante / Marca: | Vishay / Siliconix |
Breve descrizione: | MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8 |
Stato Lead senza piombo / RoHS: | Senza piombo / RoHS conforme |
Condizione: | New and unused, Original |
Scarica il foglio dati: | SIR418DP |
Applicazione: | - |
Peso: | - |
Sostituzione alternativa: | - |
Vgs (th) (max) a Id | 2.4V @ 250µA |
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Vgs (Max) | ±20V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Contenitore dispositivo fornitore | PowerPAK® SO-8 |
Serie | - |
Rds On (max) a Id, Vgs | 5 mOhm @ 20A, 10V |
Dissipazione di potenza (max) | 39W (Tc) |
imballaggio | Original-Reel® |
Contenitore / involucro | PowerPAK® SO-8 |
Altri nomi | SIR418DP-T1-GE3DKR |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo montaggio | Surface Mount |
Livello di sensibilità umidità (MSL) | 1 (Unlimited) |
Produttore tempi di consegna standard | 24 Weeks |
codice articolo del costruttore | SIR418DP-T1-GE3 |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2410pF @ 20V |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 75nC @ 10V |
Tipo FET | N-Channel |
Caratteristica FET | - |
Descrizione espansione | N-Channel 40V 40A (Tc) 39W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 |
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Tensione drain-source (Vdss) | 40V |
Descrizione | MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8 |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 40A (Tc) |
Altri nomi | SIR418DP-T1-GE3DKR |
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Pacco standard | 1 |
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