EXSHINE Modello di prodotti: | EX-SI4825DY-T1-GE3 |
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fabbricante Modello di prodotti: | SI4825DY-T1-GE3 |
fabbricante / Marca: | Vishay / Siliconix |
Breve descrizione: | MOSFET P-CH 30V 8.1A 8-SOIC |
Stato Lead senza piombo / RoHS: | Senza piombo / RoHS conforme |
Condizione: | New and unused, Original |
Scarica il foglio dati: | Si4825DY |
Applicazione: | - |
Peso: | - |
Sostituzione alternativa: | - |
Vgs (th) (max) a Id | 3V @ 250µA |
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Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Contenitore dispositivo fornitore | 8-SO |
Serie | TrenchFET® |
Rds On (max) a Id, Vgs | 14 mOhm @ 11.5A, 10V |
Dissipazione di potenza (max) | 1.5W (Ta) |
imballaggio | Tape & Reel (TR) |
Contenitore / involucro | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Altri nomi | SI4825DY-T1-GE3TR |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo montaggio | Surface Mount |
Livello di sensibilità umidità (MSL) | 1 (Unlimited) |
codice articolo del costruttore | SI4825DY-T1-GE3 |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 71nC @ 10V |
Tipo FET | P-Channel |
Caratteristica FET | - |
Descrizione espansione | P-Channel 30V 8.1A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-SO |
Tensione drain-source (Vdss) | 30V |
Descrizione | MOSFET P-CH 30V 8.1A 8-SOIC |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 8.1A (Ta) |
Pacco standard | 2,500 |
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Altri nomi | SI4825DY-T1-GE3TR |
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