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STI260N6F6
| EXSHINE Modello di prodotti: | EX-STI260N6F6 |
|---|---|
| fabbricante Modello di prodotti: | STI260N6F6 |
| fabbricante / Marca: | STMicroelectronics |
| Breve descrizione: | MOSFET N-CH 75V 120A I2PAK |
| Stato Lead senza piombo / RoHS: | Senza piombo / RoHS conforme |
| Condizione: | New and unused, Original |
| Scarica il foglio dati: | STI260N6F6, STP260N6F6 |
| Applicazione: | - |
| Peso: | - |
| Sostituzione alternativa: | - |
Disponibile: 31410 i pezzi possono essere spediti in 1-2 giorni.
Scorte future: 12000 pezzi in 7-10 giorni.
Tempo di consegna dal produttore: 8-10 settimane
- Descrizione
- Pagamento
- spedizione
- Confezione
Parametro del prodotto
| Vgs (th) (max) a Id | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | I2PAK |
| Serie | DeepGATE™, STripFET™ VI |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 3 mOhm @ 60A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max) | 300W (Tc) |
| imballaggio | Tube |
| Contenitore / involucro | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Altri nomi | 497-11329-5 |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL) | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore | STI260N6F6 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 11400pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 183nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - |
| Descrizione espansione | N-Channel 75V 120A (Tc) 300W (Tc) Through Hole I2PAK |
| Tensione drain-source (Vdss) | 75V |
| Descrizione | MOSFET N-CH 75V 120A I2PAK |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 120A (Tc) |
Altri
| Altri nomi | 497-11329-5 |
|---|---|
| Pacco standard | 50 |
|
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T / T (bonifico bancario) Ricezione: 1-4 giorni. |
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Paypal Ricezione: immediatamente. |
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Western Union Ricezione: 1-2 ore. |
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Distributore di STMicroelectronics
- Storm Interface: lo scopo dell'azienda: sviluppare, produrre e commercializzare dispositivi di inserimento dati resistenti e reattivi da utilizzare in una vasta gamma di applicazioni industriali e pubbliche.
Keymat Technology Ltd. è stata costituita nel marzo 1986 come società privata registrata nel Regno Unito. Ha sede centrale, nella sua proprietà privata, a ovest di Londra, a sole quattro miglia a nord dell'aeroporto di Heathrow. La divisione produttiva dell'azienda "Storm Manufacturing" ha sede a Maldon, sulla costa orientale dell'Inghilterra, e la sua divisione commerciale nordamericana si trova a Glen Ellyn, nell'Illinois, appena fuori Chicago.
Le tecnologie core switching sviluppate dalla società sono protette da brevetti internazionali e domande di brevetto. Queste tecnologie continuano a essere sviluppate e incorporate in prodotti nuovi e innovativi per aumentare e integrare la gamma di prodotti consolidata.
Questa strategia di continuo sviluppo ha permesso all'azienda di commercializzare una gamma più ampia di prodotti per l'immissione di dati con un unico potente marchio "STORM". Si tratta di prodotti di marca premium che rispecchiano gli standard ingegneristici e prestazionali richiesti negli ambienti militari, medici, industriali e pubblici odierni.