2SK1058-E

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2SK1058-E

EXSHINE Modello di prodotti:EX-2SK1058-E
fabbricante Modello di prodotti:2SK1058-E
fabbricante / Marca:Renesas Electronics America
Breve descrizione:MOSFET N-CH 160V 7A TO-3P
Stato Lead senza piombo / RoHS:Senza piombo / RoHS conforme
Condizione:New and unused, Original
Scarica il foglio dati:2SK1056/7/8
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Parametro del prodotto

Vgs (th) (max) a Id -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore TO-3P
Serie -
Rds On (max) a Id, Vgs -
Dissipazione di potenza (max) 100W (Tc)
imballaggio Tube
Contenitore / involucro TO-3P-3, SC-65-3
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo montaggio Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard 16 Weeks
codice articolo del costruttore 2SK1058-E
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 600pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs -
Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET -
Descrizione espansione N-Channel 160V 7A (Ta) 100W (Tc) Through Hole TO-3P
Tensione drain-source (Vdss) 160V
Descrizione MOSFET N-CH 160V 7A TO-3P
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 7A (Ta)

Altri

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Distributore di Renesas Electronics America

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