IPI80P04P4L06AKSA1

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IPI80P04P4L06AKSA1

EXSHINE Modello di prodotti:EX-IPI80P04P4L06AKSA1
fabbricante Modello di prodotti:IPI80P04P4L06AKSA1
fabbricante / Marca:Infineon Technologies
Breve descrizione:MOSFET P-CH TO262-3
Stato Lead senza piombo / RoHS:Senza piombo / RoHS conforme
Condizione:New and unused, Original
Scarica il foglio dati:IPx80P04P4L-06
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Parametro del prodotto

Vgs (th) (max) a Id 2.2V @ 150µA
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO262-3-1
Serie Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs 6.7 mOhm @ 80A, 10V
Dissipazione di potenza (max) 88W (Tc)
imballaggio Tube
Contenitore / involucro TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Altri nomi SP000842050
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard 14 Weeks
codice articolo del costruttore IPI80P04P4L06AKSA1
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 6580pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 104nC @ 10V
Tipo FET P-Channel
Caratteristica FET -
Descrizione espansione P-Channel 40V 80A (Tc) 88W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1
Tensione drain-source (Vdss) 40V
Descrizione MOSFET P-CH TO262-3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 80A (Tc)

Altri

Pacco standard 500
Altri nomi SP000842050

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